Número de Producto del Fabricante:
TSM250N02DCQ RFG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM250N02DCQ RFG-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 5.8A (Tc) 620mW (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Inventario:
18004 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899798
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ENVIAR
TSM250N02DCQ RFG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
775pF @ 10V
Potencia - Máx.
620mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TDFN (2x2)
Número de producto base
TSM250
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TSM250N02DCQ RFGCT
TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQRFGCT
TSM250N02DCQ RFGCT-DG
TSM250N02DCQRFGDKR
TSM250N02DCQRFGTR
TSM250N02DCQ RFGDKR
TSM250N02DCQ RFGTR-DG
TSM250N02DCQ RFGDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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